Samsung dan ASML Perluas Kolaborasi High NA EUV untuk Generasi Chip Berikutnya
Samsung Electronics dan ASML memperluas kerja sama High NA EUV, termasuk inisiatif photomask 12 inci dan rencana pemakaian teknologi itu untuk produksi DRAM.
Samsung Electronics dan ASML mengumumkan perluasan kolaborasi strategis mereka pada 8 September 2026 untuk teknologi litografi High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet atau High NA EUV. Fokus kerja sama mencakup teknologi manufaktur semikonduktor generasi berikutnya yang ditujukan untuk meningkatkan kemampuan produksi chip canggih.
Samsung akan bergabung dalam inisiatif industri untuk mengembangkan platform photomask 12 inci bagi High NA EUV. Industri semikonduktor selama beberapa dekade menggunakan format photomask 6 inci. Menurut Samsung, peralihan ke ukuran 12 inci diharapkan meningkatkan produktivitas fab, menurunkan biaya pembuatan chip, dan mengurangi keterbatasan stitching pada proses produksi.
Perusahaan juga berencana memperkenalkan sistem High NA EUV ASML ke produksi massal DRAM di masa depan untuk pertama kalinya di industri pada 2028. Teknologi ini diharapkan membantu kelanjutan roadmap penyusutan skala DRAM dengan resolusi yang lebih tinggi serta penyederhanaan proses manufaktur.
Reuters melaporkan ASML juga bekerja dengan sejumlah perusahaan chip besar pada pemanfaatan sistem High NA EUV dan photomask yang lebih besar. Kolaborasi dengan Samsung menjadi bagian dari upaya lebih luas industri untuk meningkatkan efisiensi pencetakan pola chip yang semakin kompleks dan mendukung kebutuhan komputasi generasi berikutnya.